6G射频前端器件内容平台

6G AAU前端面向大规模阵列的收发链路，承担波束成形、高功率发射与高灵敏接收，场景集中在城区覆盖、热点扩容与毫米波回传。

卫星载荷射频前端面向星载与地面的高可靠收发，场景包括宽带通信、遥感与导航，强调抗辐照、宽温与相位一致性。

雷达通感共用前端把通信与感知合二为一，场景包括车规雷达、工业感知与低空监测，强调大带宽、低相位噪声与快速T/R切换。

GaN与InP前端成本要看频段与产量：GaN在中低频量产摊薄、单价低；InP在太赫兹段不可替代但单价高，按链路位置分工最省钱。

低成本集成前端靠SiGe/CMOS同片化、封装标准化与板级简化降本：把射频与数字尽量同片，减少互连与校准负担，适合海量消费与车载场景。

太赫兹前端成本集中在小晶圆、低良率、异质集成与逐批表征：材料与工艺窗口窄，规模化难度高，单通道成本远高于毫米波。

AoP 毫米波封装前端 AP-A60 系列 基于 AoP 天线封装，面向 57–71 GHz，天线直接封装，省 PCB 走线损耗。

扇出型 AiP 太赫兹封装前端 AP-T140 系列 基于 Fan-out 扇出封装，面向 120–170 GHz，天线与射频裸片扇出集成，互连短。

SiP 毫米波封装前端 AP-K28 系列 基于 SiP 系统级封装，面向 26–30 GHz，收发+天线一体，出厂即校准。

CMOS 模拟波束成形收发 BF-C28 系列 基于 CMOS SOI，面向 24–29 GHz，8 通道一体，功耗低，适配小阵列。

GaN 大功率波束成形收发 BF-G29 系列 基于 GaN-on-SiC，面向 27–30 GHz，每通道自带功放，发射功率高。

SiGe 波束成形收发 BF-K39 系列 基于 SiGe BiCMOS，面向 37–40 GHz，16 通道高密度，适配 6G 中频阵列。